优配痢略高通骁龙X2 Elite Extreme芯片搭载封装内LPDDR5X内存实拍图

高通在夏威夷举办的Snapdragon峰会期间优配痢略，来自ComputerBase的现场照片证实，该公司在本代产品上推动了先进封装技术的应用：顶级型号X2E-96-100展示了围绕18核Oryon 3核心集群排列的片上LPDDR5X内存阵列。

此布局旨在降低延迟、提升AI与多媒体高负载场景下的持续吞吐性能。Qualcomm本次提供三种不同的X2配置，分别在性能、内存带宽和功耗间进行平衡：其中，SiP（系统级封装）Extreme版本采用超宽内存通道，强调最高持续带宽；还有两种采用片外内存的版本，通道较窄，但依然追求高单线程性能和突发性能。

被现场拍摄的Extreme型号X2E-96-100为18核心设计，配备最少48 GB、最多128 GB以上的片上LPDDR5X内存，共12通道，带宽达228 GB/s。处理器主频约为4.6 GHz，支持双核心加速至5.0 GHz优配痢略，GPU最高频率接近1.85 GHz。

X2E-88-100同样具备18核心，但采用片外8通道内存，带宽为152 GB/s，基础频率接近4.0 GHz，双核心加速可至4.7 GHz。体积更小的X2E-80-100则为12核心，沿用8通道片外内存，带宽约152 GB/s，基础频率为4.0 GHz，单核和双核突发频率分别达到4.7 GHz和4.4 GHz。

这款芯片采用台积电3纳米制程工艺，提供多达12条PCIe Gen 5通道，双PCIe 5.0通道支持NVMe存储，搭载USB4及3个USB-C接口，并支持Wi-Fi 7和蓝牙5.4连接。内置Spectra ISP及Adreno VPU，能够实现多路8K视频编解码及同时进行8K高负载工作流。